2N7370 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
Supplier Device Package: TO-254AA
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 100 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7370 Microchip Technology
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-254-3, TO-254AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V, Supplier Device Package: TO-254AA, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 100 W.
Інші пропозиції 2N7370
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N7370 | Microchip Technology | Darlington Transistors 100V Low-Profile Power BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N7370 |
Виробник: Microchip Technology
Darlington Transistors 100V Low-Profile Power BJT
Darlington Transistors 100V Low-Profile Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.

