2PB709BSL,215 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2PB709BSL,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 200 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.92 грн |
| 1000+ | 3.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2PB709BSL,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2PB709BSL,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 200 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2PB709BSL,215 за ціною від 2.80 грн до 19.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2PB709BSL,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 50V 0.2A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2PB709BSL,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2PB709BSL,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 200 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2PB709BSL,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 50 V, 500 mA PNP general-purpose transistor |
на замовлення 2607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2PB709BSL,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 50V 0.2A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
2PB709BSL,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 50V 0.2A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2PB709BSL,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 50V 0.2A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |