Інші пропозиції 2PD602ASL,215 за ціною від 1.93 грн до 31.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2PD602ASL,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO-236ABQualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2PD602ASL,215 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 2PD602ASL/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 4991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2PD602ASL,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO-236ABQualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2PD602ASL,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2PD602ASL,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 250 mW, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2PD602ASL,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2PD602ASL,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 250 mW, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 475 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2PD602ASL,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.52 грн |
| 2PD602ASL,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT 2PD602ASL/SOT23/TO-236AB
Bipolar Transistors - BJT 2PD602ASL/SOT23/TO-236AB
на замовлення 4991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 13.77 грн |
| 44+ | 7.30 грн |
| 100+ | 3.66 грн |
| 1000+ | 3.31 грн |
| 3000+ | 2.21 грн |
| 9000+ | 2.00 грн |
| 24000+ | 1.93 грн |
| 2PD602ASL,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 17.09 грн |
| 30+ | 10.25 грн |
| 100+ | 6.37 грн |
| 500+ | 4.39 грн |
| 1000+ | 3.87 грн |
| 2PD602ASL,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2PD602ASL,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - 2PD602ASL,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 31.09 грн |
| 39+ | 20.86 грн |
| 100+ | 13.29 грн |
| 2PD602ASL,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2PD602ASL,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - 2PD602ASL,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





