Продукція > ONSEMI > 2SA1179N6-CPA-TB-E
2SA1179N6-CPA-TB-E

2SA1179N6-CPA-TB-E onsemi

en7198-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.15A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6408525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4537+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1179N6-CPA-TB-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SA1179N6-CPA-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції 2SA1179N6-CPA-TB-E за ціною від 3.84 грн до 5.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SA1179N6-CPA-TB-E 2SA1179N6-CPA-TB-E ON Semiconductor en7198-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6399000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.14 грн
10000+4.58 грн
100000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179N6-CPA-TB-E 2SA1179N6-CPA-TB-E ON Semiconductor en7198-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179N6-CPA-TB-E 2SA1179N6-CPA-TB-E ONSEMI ONSMS36093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1179N6-CPA-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5229000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179N6-CPA-TB-E en7198-d.pdf
2SA1179N6-CPA-TB-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6399000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6834+5.14 грн
10000+4.58 грн
100000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179N6-CPA-TB-E en7198-d.pdf
2SA1179N6-CPA-TB-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6834+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179N6-CPA-TB-E ONSMS36093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1179N6-CPA-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1179N6-CPA-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5229000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.