2SA1179N6-CPA-TB-E ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1179N6-CPA-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5229000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1179N6-CPA-TB-E ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1179N6-CPA-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SA1179N6-CPA-TB-E за ціною від 3.33 грн до 4.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1179N6-CPA-TB-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 0.15A Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 6408525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
2SA1179N6-CPA-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6399000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
2SA1179N6-CPA-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
2SA1179N6-CPA-TB-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 0.15A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
товару немає в наявності |