Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SA1182-GR,LF
2SA1182-GR,LF

2SA1182-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19355&prodName=2SA1182
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1182-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SA1182-GR,LF за ціною від 4.06 грн до 17.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SA1182-GR,LF 2SA1182-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19355&prodName=2SA1182 Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 10850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.78 грн
28+10.72 грн
100+6.67 грн
500+4.60 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR,LF 2SA1182-GR,LF Toshiba 3939373641373934463839453344443932373145444130323637323031433143.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT23 30V
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR,LF docget.jsp?did=19355&prodName=2SA1182
2SA1182-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 10850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.78 грн
28+10.72 грн
100+6.67 грн
500+4.60 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR,LF 3939373641373934463839453344443932373145444130323637323031433143.pdf
2SA1182-GR,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT23 30V
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.