
2SA1207S-AA ONSEMI

Description: ONSEMI - 2SA1207S-AA - 2SA1207S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 80968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 4.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1207S-AA ONSEMI
Description: TRANS PNP 160V 0.07A 3-NP, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: 3-NP, Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 600 mW.
Інші пропозиції 2SA1207S-AA за ціною від 4.66 грн до 5.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SA1207S-AA | Виробник : Sanyo |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 83793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
2SA1207S-AA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 80793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SA1207S-AA | Виробник : Mitsubishi |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |