2SA1208T ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1208T - 2SA1208T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 19.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1208T ONSEMI
Description: TRANS PNP 160V 0.07A 3-MP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: 3-MP, Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 900 mW.
Інші пропозиції 2SA1208T за ціною від 20.29 грн до 28.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1208T | Виробник : Sanyo |
Description: TRANS PNP 160V 0.07A 3-MP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
2SA1208T | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 160V 0.07A 3-MP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 12713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| 2SA1208T | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 160V 0.07A 900mW 3-Pin Case MP |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|