Продукція > TOSHIBA > 2SA1313-O(TE85L,F)

2SA1313-O(TE85L,F) Toshiba

Name: 2SA1313-O(TE85L,F)
Brand: Toshiba
SKU: 129488-4
Price: 2.27 UAH
Availability: InStock

2SA1313_datasheet_en_20140301-1090390.pdf

Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz

на замовлення 142 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
12+	26.09 грн
18+	17.58 грн
100+	9.68 грн
1000+	4.34 грн
3000+	3.14 грн
9000+	2.6 грн
45000+	2.27 грн

Мінімальне замовлення: 12

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2SA1313-O(TE85L,F) Toshiba

Description: TRANS PNP 50V 0.5A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції 2SA1313-O(TE85L,F)

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	2SA1313-O(TE85L,F)	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PNP 50V 0.5A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW	товар відсутній
	2SA1313-O(TE85L,F)	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PNP 50V 0.5A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW	товар відсутній