2SA1380E ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1380E - 2SA1380 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 20.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1380E ONSEMI
Description: TRANS PNP 200V 0.1A TO-126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Power - Max: 1.2 W.
Інші пропозиції 2SA1380E за ціною від 20.55 грн до 21.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1380E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 200V 0.1A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| 2SA1380E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 200V 0.1A 1200mW 3-Pin TO-126 |
на замовлення 2456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|