Продукція > ONSEMI > 2SA1416S-TD-E

2SA1416S-TD-E onsemi

Name: 2SA1416S-TD-E
Brand: onsemi
SKU: 4988470-4
Price: 384.60 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, -100V, -1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP hFE =140 - 280

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	64.10 грн
10+	39.03 грн
100+	22.36 грн
500+	17.33 грн
1000+	15.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2SA1416S-TD-E onsemi

Description: TRANS PNP 100V 1A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SA1416S-TD-E

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
2SA1416S-TD-E	Виробник : ON Semiconductor	Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R	на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
2SA1416S-TD-E	Виробник : ON Semiconductor		на замовлення 314 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
2SA1416S-TD-E	Виробник : ON Semiconductor	Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
2SA1416S-TD-E	Виробник : ON Semiconductor	Trans GP BJT PNP 100V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
2SA1416S-TD-E	Виробник : onsemi	Description: TRANS PNP 100V 1A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 500 mW	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
2SA1416S-TD-E	Виробник : onsemi	Description: TRANS PNP 100V 1A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 500 mW	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.