Продукція > ONSEMI > 2SA1416T-TD-E
2SA1416T-TD-E

2SA1416T-TD-E onsemi

2sa1416-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1416T-TD-E onsemi

Description: TRANS PNP 100V 1A PCP, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SA1416T-TD-E за ціною від 15.85 грн до 70.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SA1416T-TD-E 2SA1416T-TD-E onsemi 2sa1416-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.35 грн
10+34.12 грн
100+22.07 грн
500+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416T-TD-E 2SA1416T-TD-E onsemi 2sa1416-d.pdf Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, -100V, -1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP hFE =200 - 400
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.79 грн
10+43.28 грн
100+24.37 грн
500+18.64 грн
1000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416T-TD-E ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416T-TD-E 2sa1416-d.pdf
2SA1416T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.35 грн
10+34.12 грн
100+22.07 грн
500+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416T-TD-E 2sa1416-d.pdf
2SA1416T-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, -100V, -1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP hFE =200 - 400
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+70.79 грн
10+43.28 грн
100+24.37 грн
500+18.64 грн
1000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416T-TD-E 2sa1416-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.