Продукція > ONSEMI > 2SA1417S-TD-E
2SA1417S-TD-E

2SA1417S-TD-E onsemi


EN2006-D.html
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Підписка на надходження
Кількість Ціна
1000+19.68 грн
2000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1417S-TD-E onsemi

Description: TRANS PNP 100V 2A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SA1417S-TD-E за ціною від 19.14 грн до 69.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E Виробник : ONSEMI EN2006-D.html Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
на замовлення 856 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Підписка на надходження
Кількість Ціна
8+57.84 грн
13+34.58 грн
100+23.50 грн
500+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E Виробник : onsemi EN2006-D.html Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Підписка на надходження
Кількість Ціна
5+69.03 грн
10+41.62 грн
100+27.16 грн
500+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1417d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
Підписка на надходження
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E Виробник : onsemi EN2006-D.html Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
товару немає в наявності
Підписка на надходження
В кошику  од. на суму  грн.