Продукція > ONSEMI > 2SA1417S-TD-E
2SA1417S-TD-E

2SA1417S-TD-E onsemi

EN2006-D.html
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+19.85 грн
2000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1417S-TD-E onsemi

Description: TRANS PNP 100V 2A PCP, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SA1417S-TD-E за ціною від 19.30 грн до 69.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E ONSEMI EN2006-D.html Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 120MHz
Current gain: 140...280
на замовлення 856 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.34 грн
13+34.88 грн
100+23.70 грн
500+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E onsemi EN2006-D.html Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: PCP
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.62 грн
10+41.98 грн
100+27.40 грн
500+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417S-TD-E EN2006-D.html
2SA1417S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 120MHz
Current gain: 140...280
на замовлення 856 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.34 грн
13+34.88 грн
100+23.70 грн
500+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417S-TD-E EN2006-D.html
2SA1417S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: PCP
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.62 грн
10+41.98 грн
100+27.40 грн
500+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.