Продукція > ONSEMI > 2SA1417T-TD-E
2SA1417T-TD-E

2SA1417T-TD-E onsemi

EN2006-D.html Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1417T-TD-E onsemi

Description: TRANS PNP 100V 2A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SA1417T-TD-E за ціною від 16.85 грн до 74.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA1417T-TD-E 2SA1417T-TD-E Виробник : onsemi 2SA1417_D-3006425.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.61 грн
10+46.02 грн
100+26.85 грн
250+26.78 грн
500+20.97 грн
1000+18.61 грн
2000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417T-TD-E 2SA1417T-TD-E Виробник : onsemi EN2006-D.html Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.81 грн
10+45.06 грн
100+29.43 грн
500+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417T-TD-E Виробник : SANYO EN2006-D.html SOT-89
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1417-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1417-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1417-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417T-TD-E 2SA1417T-TD-E Виробник : ONSEMI EN2006-D.html Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417T-TD-E 2SA1417T-TD-E Виробник : ONSEMI EN2006-D.html Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.