Продукція > SANYO > 2SA1418S-TD-E
2SA1418S-TD-E

2SA1418S-TD-E Sanyo

ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Sanyo
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1303+15.3 грн
Мінімальне замовлення: 1303
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1418S-TD-E Sanyo

Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SA1418S-TD-E за ціною від 12.67 грн до 40.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Виробник : ONSEMI en1788-d.pdf ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+33.39 грн
25+ 29.27 грн
36+ 22.41 грн
99+ 21.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+34.36 грн
26+ 29.51 грн
100+ 20.17 грн
Мінімальне замовлення: 22
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1418-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
322+36.35 грн
422+ 27.72 грн
423+ 27.6 грн
535+ 21.05 грн
1000+ 14.21 грн
Мінімальне замовлення: 322
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1418-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+39.58 грн
17+ 34.13 грн
25+ 33.76 грн
100+ 24.82 грн
250+ 22.88 грн
500+ 17.37 грн
1000+ 12.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Виробник : onsemi en1788-d.pdf Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.62 грн
10+ 33.5 грн
100+ 23.2 грн
500+ 18.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Виробник : ONSEMI en1788-d.pdf ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 566 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+40.07 грн
25+ 36.48 грн
36+ 26.89 грн
99+ 25.39 грн
1000+ 24.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1418-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1418S-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SA1418S-TD-E Виробник : onsemi EN1788_D-2311220.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 160V
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.48 грн
10+ 34.54 грн
100+ 22.31 грн
500+ 18.38 грн
1000+ 14.25 грн
2000+ 13.45 грн
5000+ 13.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1418-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 127en1788-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1418-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Виробник : onsemi en1788-d.pdf Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній