2SA1418S-TD-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 19.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1418S-TD-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 700mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2SA1418S-TD-E за ціною від 16.93 грн до 77.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1418S-TD-E | Виробник : Sanyo |
Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SA1418S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SA1418S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SA1418S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 367950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SA1418S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89 Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT89 Type of transistor: PNP Mounting: SMD Collector current: 0.7A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 160V Frequency: 120MHz Current gain: 140...280 |
на замовлення 460 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SA1418S-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 1832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SA1418S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SA1418S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
2SA1418S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| 2SA1418S-TD-E | Виробник : Sanyo Electric |
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2SA1418S-TD-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 160V |
на замовлення 1522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|