Технічний опис 2SA1419T-TD-H ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 160V 1.5A PCP, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SA1419T-TD-H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1419T-TD-H | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1.5A 160V |
на замовлення 1639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SA1419T-TD-H |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1.5A 160V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1.5A 160V
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


