2SA1579T106R Rohm Semiconductor
на замовлення 8437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 642+ | 24.94 грн |
| 1000+ | 23.21 грн |
| 2000+ | 15.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1579T106R Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції 2SA1579T106R за ціною від 10.21 грн до 38.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1579T106R | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SA1579T106R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
2SA1579T106R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
2SA1579T106R | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP 120V 50MA |
товару немає в наявності |