2SA1579T106S Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 658+ | 24.80 грн |
| 1087+ | 13.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1579T106S Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Supplier Device Package: UMT3, Frequency - Transition: 140MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SA1579T106S за ціною від 13.83 грн до 37.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SA1579T106S | Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
2SA1579T106S | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
2SA1579T106S | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
2SA1579T106S | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP 120V 50MA |
на замовлення 1378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SA1579T106S |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 30.10 грн |
| 100+ | 18.99 грн |
| 2SA1579T106S |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 468+ | 30.25 грн |
| 742+ | 19.08 грн |
| 2SA1579T106S |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.20 грн |
| 14+ | 21.71 грн |
| 100+ | 13.83 грн |
| 2SA1579T106S |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 120V 50MA
Bipolar Transistors - BJT PNP 120V 50MA
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)