2SA1774E3HZGTLQ ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Transistor, BJT PNP -50V (Vceo), -150mA (Ic), 3-Pin
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 21.88 грн |
| 27+ | 13.08 грн |
| 100+ | 7.15 грн |
| 500+ | 5.27 грн |
| 1000+ | 4.67 грн |
| 3000+ | 3.84 грн |
| 6000+ | 3.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1774E3HZGTLQ ROHM Semiconductor
Description: ROHM - 2SA1774E3HZGTLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 150mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SA1774E3HZGTLQ за ціною від 8.97 грн до 28.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1774E3HZGTLQ | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SA1774E3HZGTLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
2SA1774E3HZGTLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 50V 0.15A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
2SA1774E3HZGTLQ | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SA1774E3HZGTLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| 2SA1774E3HZGTLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
2SA1774E3HZGTLQ |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2SA1774E3HZGTLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
2SA1774E3HZGTLQ |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
|
|
2SA1774E3HZGTLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 50V 0.15A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |