Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SA1955FVATPL3Z

2SA1955FVATPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage

Name: 2SA1955FVATPL3Z
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 4304090-3
Price: 327.52 UAH
Availability: InStock

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 12V 0.4A CST3
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
23+	14.24 грн
35+	8.84 грн
100+	6.19 грн
500+	4.81 грн
1000+	4.50 грн
2000+	4.24 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2SA1955FVATPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 12V 0.4A CST3, Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA, Power - Max: 100 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: CST3, Frequency - Transition: 130MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-101, SOT-883, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SA1955FVATPL3Z

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	2SA1955FVATPL3Z	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PNP 12V 0.4A CST3 Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: CST3 Frequency - Transition: 130MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	2SA1955FVATPL3Z	Виробник : Toshiba	Bipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.