Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції 2SA1962OTU за ціною від 146.39 грн до 350.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SA1962OTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SA1962OTU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A 130W |
на замовлення 3041 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SA1962OTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1962OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 80 MSL: - Verlustleistung Pd: 130 Übergangsfrequenz ft: 30 Bauform - Transistor: TO-3P Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 250 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 17 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SA1962OTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 146+ | 250.91 грн |
| 2SA1962OTU |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A 130W
Bipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A 130W
на замовлення 3041 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 350.35 грн |
| 10+ | 290.09 грн |
| 25+ | 190.69 грн |
| 100+ | 160.66 грн |
| 450+ | 146.39 грн |
| 2SA1962OTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1962OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 80
MSL: -
Verlustleistung Pd: 130
Übergangsfrequenz ft: 30
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 17
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2SA1962OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 80
MSL: -
Verlustleistung Pd: 130
Übergangsfrequenz ft: 30
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 17
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




