Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції 2SA1962OTU за ціною від 135.30 грн до 354.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1962OTU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SA1962OTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A 130W |
на замовлення 3041 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SA1962OTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1962OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 80 MSL: - Verlustleistung Pd: 130 Übergangsfrequenz ft: 30 Bauform - Transistor: TO-3P Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 250 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 17 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SA1962OTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 250V 17A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 130 W |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|