Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції 2SA1962OTU за ціною від 204.21 грн до 377.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SA1962OTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
2SA1962OTU | onsemi |
Description: TRANS PNP 250V 17A TO-3PPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 130 W |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
2SA1962OTU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A 130W |
на замовлення 3041 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
2SA1962OTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1962OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 80 MSL: - Verlustleistung Pd: 130 Übergangsfrequenz ft: 30 Bauform - Transistor: TO-3P Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 250 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 17 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SA1962OTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 146+ | 241.17 грн |
| 2SA1962OTU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
Description: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 377.94 грн |
| 30+ | 204.21 грн |
| 2SA1962OTU |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A 130W
Bipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A 130W
на замовлення 3041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SA1962OTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1962OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 80
MSL: -
Verlustleistung Pd: 130
Übergangsfrequenz ft: 30
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 17
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2SA1962OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 80
MSL: -
Verlustleistung Pd: 130
Übergangsfrequenz ft: 30
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 17
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





