2SA1962RTU ON Semiconductor
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 136.75 грн |
| 10+ | 129.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1962RTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SA1962RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 17A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції 2SA1962RTU за ціною від 172.39 грн до 332.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1962RTU | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: TRANS PNP 250V 17A TO3PPackaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 130 W |
на замовлення 3987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SA1962RTU | Виробник : onsemi |
Description: 2SA1962 - POWER BIPOLAR TRANSIST Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 130 W |
на замовлення 2114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SA1962RTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1962RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 17A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 3987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SA1962RTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SA1962RTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
2SA1962RTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
2SA1962RTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 250V 17A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 130 W |
товар відсутній |