2SA1962RTU Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1962RTU Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SA1962RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 17A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції 2SA1962RTU за ціною від 217.35 грн до 286.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1962RTU | onsemi |
Description: TRANS PNP 250V 17A TO-3P Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 130 W |
на замовлення 2559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
2SA1962RTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 2109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
2SA1962RTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
2SA1962RTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 3883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
2SA1962RTU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
2SA1962RTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1962RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 17A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 3987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SA1962RTU |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
Description: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 94+ | 217.35 грн |
| 2SA1962RTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 124+ | 286.41 грн |
| 500+ | 271.08 грн |
| 1000+ | 256.94 грн |
| 2SA1962RTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 124+ | 286.41 грн |
| 2SA1962RTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 124+ | 286.41 грн |
| 500+ | 271.08 грн |
| 1000+ | 256.94 грн |
| 2SA1962RTU |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SA1962RTU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1962RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 17A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 2SA1962RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 17A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)