Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > 2SA1962RTU
2SA1962RTU

2SA1962RTU onsemi / Fairchild

FJA4213_D-2313591.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.78 грн
450+193.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1962RTU onsemi / Fairchild

Description: TRANS PNP 250V 17A TO-3P, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 17 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Power - Max: 130 W.

Інші пропозиції 2SA1962RTU за ціною від 226.06 грн до 283.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA1962RTU 2SA1962RTU Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS27630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+226.06 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTU 2SA1962RTU Виробник : onsemi FAIRS27630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+226.06 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTU 2SA1962RTU Виробник : ON Semiconductor fja4213-d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
124+283.22 грн
500+268.06 грн
1000+254.08 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTU 2SA1962RTU Виробник : ON Semiconductor fja4213-d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
124+283.22 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTU 2SA1962RTU Виробник : ON Semiconductor fja4213-d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
124+283.22 грн
500+268.06 грн
1000+254.08 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTU 2SA1962RTU Виробник : onsemi fja4213-d.pdf Description: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.