2SA1962RTU

2SA1962RTU Fairchild Semiconductor


FAIRS27630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
на замовлення 3987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
108+204.31 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1962RTU Fairchild Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SA1962RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 17A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції 2SA1962RTU за ціною від 203.40 грн до 271.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA1962RTU 2SA1962RTU Виробник : onsemi FAIRS27630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
108+204.31 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTU 2SA1962RTU Виробник : onsemi / Fairchild FJA4213_D-2313591.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.21 грн
450+203.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTU 2SA1962RTU Виробник : ONSEMI FJA4213-D.pdf Description: ONSEMI - 2SA1962RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 17A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+260.98 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTU 2SA1962RTU Виробник : ON Semiconductor fja4213-d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+271.83 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTU 2SA1962RTU Виробник : ON Semiconductor fja4213-d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+271.83 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTU Виробник : FAIRCHILD FAIRS27630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fja4213-d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+271.83 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTU 2SA1962RTU Виробник : ON Semiconductor fja4213-d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTU 2SA1962RTU Виробник : onsemi fja4213-d.pdf Description: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.