2SA2012-TD-E ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5A; 3.5W; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 5A
Power dissipation: 3.5W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...560
Frequency: 350MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2012-TD-E ONSEMI
Description: TRANS PNP 30V 5A PCP, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 420MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 30mA, 1.5A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 3.5 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A.
Інші пропозиції 2SA2012-TD-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA2012-TD-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 30V |
на замовлення 11330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SA2012-TD-E |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 30V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 30V
на замовлення 11330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)