2SA2012-TD-E ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 360+ | 39.39 грн |
| 361+ | 39.22 грн |
| 363+ | 39.05 грн |
| 411+ | 33.20 грн |
| 413+ | 30.58 грн |
| 500+ | 25.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2012-TD-E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SA2012-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 350, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції 2SA2012-TD-E за ціною від 25.81 грн до 48.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SA2012-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SA2012-TD-E | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5A; 3.5W; SOT89 Mounting: SMD Collector current: 5A Power dissipation: 3.5W Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 200...560 Frequency: 350MHz Polarisation: bipolar Case: SOT89 Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SA2012-TD-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 30V |
на замовлення 11330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SA2012-TD-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 30V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 41.75 грн |
| 20+ | 39.39 грн |
| 25+ | 39.22 грн |
| 50+ | 37.66 грн |
| 100+ | 30.74 грн |
| 250+ | 29.35 грн |
| 500+ | 25.81 грн |
| 2SA2012-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5A; 3.5W; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 5A
Power dissipation: 3.5W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...560
Frequency: 350MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5A; 3.5W; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 5A
Power dissipation: 3.5W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...560
Frequency: 350MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 48.22 грн |
| 2SA2012-TD-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 30V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 30V
на замовлення 11330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





