Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SA2012-TD-E
2SA2012-TD-E

2SA2012-TD-E ON Semiconductor

2sa2012-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
360+36.11 грн
361+35.96 грн
363+35.80 грн
411+30.43 грн
413+28.03 грн
500+23.66 грн
Мінімальне замовлення: 360
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2012-TD-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SA2012-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 350, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції 2SA2012-TD-E за ціною від 18.41 грн до 60.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA2012-TD-E 2SA2012-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2012-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+41.01 грн
20+38.69 грн
25+38.53 грн
50+36.99 грн
100+30.19 грн
250+28.83 грн
500+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2012-TD-E 2SA2012-TD-E Виробник : onsemi 2SA2012_D-1801400.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 30V
на замовлення 11330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.73 грн
10+52.30 грн
100+34.89 грн
500+27.62 грн
1000+20.56 грн
2000+18.97 грн
5000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2012-TD-E Виробник : ONSEMI 2sa2012-d.pdf 2SA2012-TD-E PNP SMD transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.26 грн
37+32.10 грн
102+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2012-TD-E 2SA2012-TD-E Виробник : ONSEMI 2SA2012-D.PDF Description: ONSEMI - 2SA2012-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2012-TD-E 2SA2012-TD-E Виробник : onsemi 2sa2012-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 420MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 3.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2012-TD-E 2SA2012-TD-E Виробник : onsemi 2sa2012-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 420MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 3.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.