Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > 2SA2013-TD-E

2SA2013-TD-E

en6307-d.pdf
Код товару: 161290
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2SA2013-TD-E за ціною від 15.91 грн до 74.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1380+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 1380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1380+25.63 грн
10000+22.85 грн
100000+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 1380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ONSEMI en6307-d.pdf Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.40 грн
500+19.55 грн
1000+16.26 грн
5000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ONSEMI en6307-d.pdf Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.02 грн
20+41.87 грн
100+27.40 грн
500+19.55 грн
1000+16.26 грн
5000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+40.74 грн
100+26.56 грн
500+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E onsemi en6307-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 50V
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.66 грн
10+45.23 грн
100+25.90 грн
500+20.32 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E ONN en6307-d.pdf
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E en6307-d.pdf
2SA2013-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2sa2013-d.pdf
2SA2013-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2sa2013-d.pdf
2SA2013-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2sa2013-d.pdf
2SA2013-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1380+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 1380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2sa2013-d.pdf
2SA2013-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1380+25.63 грн
10000+22.85 грн
100000+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 1380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E en6307-d.pdf
2SA2013-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+27.40 грн
500+19.55 грн
1000+16.26 грн
5000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2sa2013-d.pdf
2SA2013-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E en6307-d.pdf
2SA2013-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+67.02 грн
20+41.87 грн
100+27.40 грн
500+19.55 грн
1000+16.26 грн
5000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E en6307-d.pdf
2SA2013-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+68.19 грн
10+40.74 грн
100+26.56 грн
500+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E en6307-d.pdf
2SA2013-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 50V
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+74.66 грн
10+45.23 грн
100+25.90 грн
500+20.32 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2sa2013-d.pdf
2SA2013-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E en6307-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.