2SA2013-TD-E

2SA2013-TD-E ON Semiconductor


2sa2013-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 13000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1647+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 1647
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2013-TD-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції 2SA2013-TD-E за ціною від 14.50 грн до 73.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1647+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 1647
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E Виробник : onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+20.86 грн
2000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.45 грн
500+21.92 грн
1000+18.18 грн
5000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E Виробник : onsemi 2SA2013_D-3538040.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 50V
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.04 грн
10+43.74 грн
100+25.68 грн
500+20.08 грн
1000+18.10 грн
2000+15.82 грн
5000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+66.93 грн
18+46.30 грн
100+30.45 грн
500+21.92 грн
1000+18.18 грн
5000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E Виробник : onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 3196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.21 грн
10+44.29 грн
100+28.88 грн
500+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E
Код товару: 161290
Додати до обраних Обраний товар

en6307-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E Виробник : ON Semiconductor 1974en6307-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E Виробник : ONSEMI en6307-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 360MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E Виробник : ONSEMI en6307-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 360MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.