Інші пропозиції 2SA2013-TD-E за ціною від 17.55 грн до 75.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA2013-TD-E | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PNP 50V 4A PCPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3.5 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SA2013-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SA2013-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SA2013-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SA2013-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SA2013-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SA2013-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 5215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SA2013-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 4A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3.5 W |
на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SA2013-TD-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 50V |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SA2013-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 5215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SA2013-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| 2SA2013-TD-E | Виробник : ONN |
|
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
2SA2013-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| 2SA2013-TD-E | Виробник : On Semiconductor |
TRANS PNP 50V 4A SOT89-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
2SA2013-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Collector current: 4A Power dissipation: 1.3W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Frequency: 360MHz Polarisation: bipolar Case: SOT89 Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |