2SA2013-TD-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 16.36 грн |
| 2000+ | 14.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2013-TD-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SA2013-TD-E за ціною від 12.75 грн до 41.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA2013-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SA2013-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 4A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3.5 W |
на замовлення 3610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SA2013-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SA2013-TD-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 50V |
на замовлення 1072 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SA2013-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| 2SA2013-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 315800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
2SA2013-TD-E Код товару: 161290 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
2SA2013-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
2SA2013-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
2SA2013-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 4A; 3.5W; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Polarisation: bipolar Frequency: 360MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Collector current: 4A Type of transistor: PNP Power dissipation: 3.5W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2SA2013-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 4A; 3.5W; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Polarisation: bipolar Frequency: 360MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Collector current: 4A Type of transistor: PNP Power dissipation: 3.5W Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |