
2SA2016-TD-E onsemi

Description: TRANS PNP 50V 7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 10450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 26.09 грн |
2000+ | 22.96 грн |
3000+ | 21.86 грн |
5000+ | 19.35 грн |
7000+ | 18.66 грн |
10000+ | 17.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2016-TD-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 7A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 290MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції 2SA2016-TD-E за ціною від 19.94 грн до 89.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SA2016-TD-E | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 290MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA2016-TD-E | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 5257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA2016-TD-E | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 290MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA2016-TD-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3.5 W |
на замовлення 10976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2SA2016-TD-E Код товару: 175899
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
2SA2016-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
2SA2016-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
2SA2016-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
2SA2016-TD-E | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Frequency: 290MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Collector current: 7A Type of transistor: PNP Power dissipation: 1.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT89 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
2SA2016-TD-E | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Frequency: 290MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Collector current: 7A Type of transistor: PNP Power dissipation: 1.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT89 |
товару немає в наявності |