2SA2016-TD-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 50V 7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 24.36 грн |
| 2000+ | 21.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2016-TD-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 290MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2SA2016-TD-E за ціною від 19.09 грн до 96.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA2016-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 290MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SA2016-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Collector current: 7A Power dissipation: 1.3W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Frequency: 290MHz Polarisation: bipolar Case: SOT89 Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SA2016-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 7A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3.5 W |
на замовлення 2713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SA2016-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Collector current: 7A Power dissipation: 1.3W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Frequency: 290MHz Polarisation: bipolar Case: SOT89 Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 785 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SA2016-TD-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 7A 50V |
на замовлення 2753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SA2016-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 290MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SA2016-TD-E Код товару: 175899
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
| 2SA2016-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| 2SA2016-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| 2SA2016-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |