Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > 2SA2016-TD-E

2SA2016-TD-E

en6309-d.pdf
Код товару: 175899
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2SA2016-TD-E за ціною від 20.35 грн до 92.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA2016-TD-E 2SA2016-TD-E onsemi en6309-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.13 грн
2000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E 2SA2016-TD-E ONSEMI ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.16 грн
200+35.50 грн
500+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E 2SA2016-TD-E ONSEMI en6309-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 7A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Frequency: 290MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.58 грн
10+45.12 грн
50+33.61 грн
100+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E 2SA2016-TD-E onsemi en6309-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 7A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 7089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+50.97 грн
100+33.53 грн
500+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E 2SA2016-TD-E onsemi en6309-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 7A 50V
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.61 грн
10+54.75 грн
100+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E 2SA2016-TD-E ONSEMI ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.71 грн
15+58.09 грн
50+48.16 грн
200+35.50 грн
500+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E ON Semiconductor 2sa2016d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.68 грн
2000+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E ON Semiconductor 2sa2016d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.68 грн
2000+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E ON Semiconductor 2sa2016d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+59.08 грн
500+41.85 грн
1000+35.88 грн
3000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E en6309-d.pdf
2SA2016-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+23.13 грн
2000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA2016-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.16 грн
200+35.50 грн
500+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E en6309-d.pdf
2SA2016-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 7A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Frequency: 290MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.58 грн
10+45.12 грн
50+33.61 грн
100+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E en6309-d.pdf
2SA2016-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 7A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 7089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.65 грн
10+50.97 грн
100+33.53 грн
500+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E en6309-d.pdf
2SA2016-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 7A 50V
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.61 грн
10+54.75 грн
100+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA2016-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+92.71 грн
15+58.09 грн
50+48.16 грн
200+35.50 грн
500+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E 2sa2016d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+50.68 грн
2000+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E 2sa2016d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+50.68 грн
2000+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E 2sa2016d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+59.08 грн
500+41.85 грн
1000+35.88 грн
3000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.