Продукція > ONSEMI > 2SA2016-TD-E
2SA2016-TD-E

2SA2016-TD-E onsemi


en6309-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 10450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+26.09 грн
2000+22.96 грн
3000+21.86 грн
5000+19.35 грн
7000+18.66 грн
10000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2016-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 7A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 290MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції 2SA2016-TD-E за ціною від 19.94 грн до 89.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA2016-TD-E 2SA2016-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.91 грн
200+33.26 грн
500+24.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E 2SA2016-TD-E Виробник : onsemi EN6309_D-2311223.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 7A 50V
на замовлення 5257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.03 грн
10+48.82 грн
100+29.28 грн
500+23.32 грн
1000+21.33 грн
2000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E 2SA2016-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.03 грн
16+51.91 грн
50+43.91 грн
200+33.26 грн
500+24.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E 2SA2016-TD-E Виробник : onsemi en6309-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 7A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 10976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.93 грн
10+54.26 грн
100+35.69 грн
500+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E
Код товару: 175899
Додати до обраних Обраний товар

en6309-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2016-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2016-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2088en6309-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E 2SA2016-TD-E Виробник : ONSEMI en6309-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 290MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 7A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E 2SA2016-TD-E Виробник : ONSEMI en6309-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 290MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 7A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.