Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SA2018E3HZGTL
2SA2018E3HZGTL

2SA2018E3HZGTL Rohm Semiconductor

2sa2018e3hzgtl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1878+6.22 грн
2044+ 5.71 грн
2104+ 5.55 грн
2190+ 5.14 грн
3000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 1878
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2018E3HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 260MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції 2SA2018E3HZGTL за ціною від 6.06 грн до 34.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL Виробник : ROHM 2sa2018e3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+16.36 грн
500+ 11.38 грн
1000+ 6.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor 2sa2018e3hzgtl-e.pdf Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
538+21.71 грн
558+ 20.92 грн
1000+ 20.25 грн
2500+ 18.95 грн
Мінімальне замовлення: 538
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SA2018E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.81 грн
14+ 21.3 грн
100+ 12.75 грн
500+ 11.08 грн
1000+ 7.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SA2018E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -12V -0.5A, Low VCE(sat) Transistor
на замовлення 5834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.08 грн
13+ 24.66 грн
100+ 14.58 грн
1000+ 8.52 грн
3000+ 7.19 грн
9000+ 6.59 грн
24000+ 6.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL Виробник : ROHM 2sa2018e3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+34.21 грн
28+ 26.97 грн
100+ 16.36 грн
500+ 11.38 грн
1000+ 6.92 грн
Мінімальне замовлення: 22
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SA2018E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній