Продукція > ROHM > 2SA2018E3HZGTL
2SA2018E3HZGTL

2SA2018E3HZGTL ROHM

2sa2018e3hzgtl-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+11.76 грн
500+8.23 грн
1000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2018E3HZGTL ROHM

Description: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 260MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SA2018E3HZGTL за ціною від 5.73 грн до 35.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL ROHM 2sa2018e3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.04 грн
44+18.52 грн
100+11.76 грн
500+8.23 грн
1000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SA2018E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
16+19.22 грн
100+12.18 грн
500+8.56 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SA2018E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -12V -500mA, Low frequency transistor
на замовлення 5734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.36 грн
15+21.51 грн
100+11.87 грн
500+8.91 грн
1000+7.94 грн
3000+7.52 грн
6000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3HZGTL 2sa2018e3hzgtl-e.pdf
2SA2018E3HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+30.04 грн
44+18.52 грн
100+11.76 грн
500+8.23 грн
1000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3HZGTL datasheet?p=2SA2018E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SA2018E3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.84 грн
16+19.22 грн
100+12.18 грн
500+8.56 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3HZGTL datasheet?p=2SA2018E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SA2018E3HZGTL
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -12V -500mA, Low frequency transistor
на замовлення 5734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+35.36 грн
15+21.51 грн
100+11.87 грн
500+8.91 грн
1000+7.94 грн
3000+7.52 грн
6000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.