Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SA2018E3HZGTL
2SA2018E3HZGTL

2SA2018E3HZGTL Rohm Semiconductor

2sa2018e3hzgtl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1163+10.47 грн
1305+9.33 грн
2000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 1163
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2018E3HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 260MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SA2018E3HZGTL за ціною від 8.00 грн до 39.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL Виробник : ROHM datasheet?p=2SA2018E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.90 грн
500+10.47 грн
1000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL Виробник : ROHM datasheet?p=2SA2018E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.60 грн
36+23.05 грн
100+14.90 грн
500+10.47 грн
1000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SA2018E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.52 грн
15+21.64 грн
100+13.74 грн
500+9.66 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor 2sa2018e3hzgtl-e.pdf Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
685+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 685
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SA2018E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -12V -500mA, Low frequency transistor
на замовлення 5734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.90 грн
13+27.77 грн
100+15.63 грн
500+11.82 грн
1000+9.91 грн
3000+9.25 грн
6000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SA2018E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.