Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SA2018E3TL
2SA2018E3TL

2SA2018E3TL Rohm Semiconductor

2sa2018e3-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+21.54 грн
100+13.41 грн
500+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2018E3TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SA2018E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 260MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції 2SA2018E3TL за ціною від 6.34 грн до 27.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SA2018E3TL 2SA2018E3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SA2018E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
19+16.27 грн
100+10.22 грн
500+7.14 грн
1000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TL 2SA2018E3TL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SA2018E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -12V -0.5A, Low VCE(sat) Transistor
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TL 2SA2018E3TL Rohm Semiconductor 2sa2018e3-e.pdf Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TL 2SA2018E3TL ROHM 2sa2018e3-e.pdf Description: ROHM - 2SA2018E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TL 2SA2018E3TL Rohm Semiconductor 2sa2018e3-e.pdf Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TL 2SA2018E3TL Rohm Semiconductor 2sa2018e3-e.pdf Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TL 2SA2018E3TL ROHM 2sa2018e3-e.pdf Description: ROHM - 2SA2018E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TL datasheet?p=2SA2018E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SA2018E3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
19+16.27 грн
100+10.22 грн
500+7.14 грн
1000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TL datasheet?p=2SA2018E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SA2018E3TL
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -12V -0.5A, Low VCE(sat) Transistor
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TL 2sa2018e3-e.pdf
2SA2018E3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TL 2sa2018e3-e.pdf
2SA2018E3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SA2018E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TL 2sa2018e3-e.pdf
2SA2018E3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TL 2sa2018e3-e.pdf
2SA2018E3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TL 2sa2018e3-e.pdf
2SA2018E3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SA2018E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.