2SA2039-E ON Semiconductor
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 30.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2039-E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SA2039-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 360MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції 2SA2039-E за ціною від 31.56 грн до 84.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA2039-E | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PNP 50V 5A TPPackaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: TP Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 302655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2SA2039-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2039-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 306442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2SA2039-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| 2SA2039-E | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 410 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
2SA2039-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 5A 800mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
2SA2039-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 5A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: TP Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
товару немає в наявності |