2SA2040-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 50V 8A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 9861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 857+ | 27.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2040-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SA2040-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 8 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 290MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SA2040-E за ціною від 31.87 грн до 46.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SA2040-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SA2040-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| 2SA2040-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2040-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 8 A, 15 W, TO-251, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 290MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 9861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
2SA2040-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
2SA2040-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 8A TPPackaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
2SA2040-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 50V |
товару немає в наявності |

