2SA2040-TL-E ON Semiconductor
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 504+ | 24.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2040-TL-E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 290MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2SA2040-TL-E за ціною від 24.42 грн до 116.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SA2040-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 8A TP-FAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 290MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SA2040-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SA2040-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SA2040-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SA2040-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SA2040-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 290MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SA2040-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SA2040-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK Mounting: SMD Collector current: 8A Power dissipation: 1W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Frequency: 330MHz Polarisation: bipolar Case: DPAK Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SA2040-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK Mounting: SMD Collector current: 8A Power dissipation: 1W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Frequency: 330MHz Polarisation: bipolar Case: DPAK Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 578 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SA2040-TL-E Код товару: 162467
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
2SA2040-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 8A TP-FAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 290MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 5364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SA2040-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 290MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SA2040-TL-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 50V |
на замовлення 8030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SA2040-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор PNP; Uceo, В = 50; Ic = 8; ft, МГц = 290; hFE = 200 @ 500 мA, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 40 мA, 2 А; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TP-FA-2 |
на замовлення 165 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
2SA2040-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2SA2040-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
2SA2040-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |




