2SA2119KT146 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - 2SA2119KT146 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.63 грн |
| 500+ | 7.88 грн |
| 1000+ | 6.24 грн |
| 5000+ | 5.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2119KT146 ROHM
Description: ROHM - 2SA2119KT146 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-346, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 260MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2SA2119KT146 за ціною від 5.10 грн до 38.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA2119KT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SA2119KT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 5636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SA2119KT146 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SA2119KT146 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SA2119KT146 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 3PIN |
на замовлення 2159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SA2119KT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 12V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SA2119KT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SA2119KT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 12V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 200 mW |
товару немає в наявності |