Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SA2125-TD-E
2SA2125-TD-E

2SA2125-TD-E ON Semiconductor

2sa2125-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2125-TD-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 380MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SA2125-TD-E за ціною від 9.31 грн до 57.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA2125-TD-E 2SA2125-TD-E Виробник : onsemi 2sa2125-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.82 грн
2000+13.81 грн
3000+13.08 грн
5000+11.51 грн
7000+11.05 грн
10000+10.61 грн
25000+9.48 грн
50000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS37470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.78 грн
500+16.63 грн
1000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-TD-E Виробник : onsemi EN7988_D-2310800.pdf Bipolar Transistors - BJT DC-DC CONVERTER
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.91 грн
11+31.30 грн
100+18.54 грн
500+14.57 грн
1000+13.17 грн
2000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS37470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.76 грн
25+33.34 грн
100+22.78 грн
500+16.63 грн
1000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-TD-E Виробник : onsemi 2sa2125-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 82682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.30 грн
10+34.33 грн
100+22.18 грн
500+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2125-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2125-d.pdf
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E Виробник : SANYO 2sa2125-d.pdf 09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2125-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2125-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2346en7988-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2125-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.