2SA2125-TD-E ON Semiconductor
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1046+ | 11.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2125-TD-E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 380MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2SA2125-TD-E за ціною від 9.00 грн до 57.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA2125-TD-E | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PNP 50V 3A PCPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3.5 W |
на замовлення 62000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2SA2125-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 59165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2SA2125-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2SA2125-TD-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT DC-DC CONVERTER |
на замовлення 2162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2SA2125-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3.5 W |
на замовлення 62502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2SA2125-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2SA2125-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1264 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | Виробник : SANYO |
09+ |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
2SA2125-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
2SA2125-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
2SA2125-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
2SA2125-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Collector current: 3A Power dissipation: 1.3W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Frequency: 390MHz Polarisation: bipolar Case: SOT89 Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |