Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SA2125-TD-E
2SA2125-TD-E

2SA2125-TD-E ON Semiconductor

2sa2125-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1046+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 1046 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2125-TD-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 3.5W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 380MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SA2125-TD-E за ціною від 12.89 грн до 57.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SA2125-TD-E 2SA2125-TD-E onsemi 2SA2125-D.PDF Description: TRANS PNP 50V 3A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 390MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.77 грн
2000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-TD-E ON Semiconductor 2sa2125-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 20995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1866+18.91 грн
10000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 1866 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-TD-E onsemi 2SA2125-D.PDF Description: TRANS PNP 50V 3A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 390MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.09 грн
10+33.96 грн
100+21.96 грн
500+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-TD-E ON Semiconductor 2sa2125-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-TD-E onsemi 2SA2125-D.PDF Bipolar Transistors - BJT DC-DC CONVERTER
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-TD-E ONSEMI ONSMS37470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-TD-E ONSEMI ONSMS37470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E ON Semiconductor 2SA2125-D.PDF
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-D.PDF
2SA2125-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 3A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 390MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+14.77 грн
2000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2sa2125-d.pdf
2SA2125-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 20995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1866+18.91 грн
10000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 1866 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-D.PDF
2SA2125-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 3A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 390MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.09 грн
10+33.96 грн
100+21.96 грн
500+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2sa2125-d.pdf
2SA2125-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-D.PDF
2SA2125-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT DC-DC CONVERTER
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E ONSMS37470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA2125-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E ONSMS37470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA2125-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.