Продукція > ONSEMI > 2SA2126-TL-E
2SA2126-TL-E

2SA2126-TL-E onsemi

en7990-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 35700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+23.54 грн
1400+20.62 грн
2100+19.57 грн
3500+17.26 грн
4900+16.61 грн
7000+15.98 грн
17500+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2126-TL-E onsemi

Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 390MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції 2SA2126-TL-E за ціною від 17.78 грн до 85.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA2126-TL-E 2SA2126-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2126-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1128+26.99 грн
10000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 1128
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-E 2SA2126-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2126-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 49700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1128+26.99 грн
10000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 1128
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-E 2SA2126-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2126-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1128+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 1128
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-E 2SA2126-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2126-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1128+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 1128
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-E 2SA2126-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2126-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1128+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 1128
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-E 2SA2126-TL-E Виробник : onsemi en7990-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 36032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.71 грн
10+46.87 грн
100+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-E 2SA2126-TL-E Виробник : onsemi 2SA2126_D-3538064.pdf Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.51 грн
10+54.16 грн
100+31.20 грн
700+23.51 грн
1400+20.25 грн
2100+18.65 грн
4900+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-E Виробник : ONSEMI ONSMS36394-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SA2126-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1400+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 1400
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-E 2SA2126-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2126-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-E Виробник : ONSEMI en7990-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 390MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-E Виробник : ONSEMI en7990-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 390MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.