2SA2126-TL-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 700+ | 24.52 грн |
| 1400+ | 21.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2126-TL-E onsemi
Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 390MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції 2SA2126-TL-E за ціною від 30.07 грн до 85.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SA2126-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2SA2126-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 49700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2SA2126-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2SA2126-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2SA2126-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2SA2126-TL-E | onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 17079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2SA2126-TL-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING |
на замовлення 1973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA2126-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2126-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1400 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SA2126-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 965+ | 36.58 грн |
| 1047+ | 33.73 грн |
| 10000+ | 30.07 грн |
| 2SA2126-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 49700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 965+ | 36.58 грн |
| 1047+ | 33.73 грн |
| 10000+ | 30.07 грн |
| 2SA2126-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 965+ | 36.58 грн |
| 1047+ | 33.73 грн |
| 2SA2126-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 965+ | 36.58 грн |
| 1047+ | 33.73 грн |
| 2SA2126-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 965+ | 36.58 грн |
| 1047+ | 33.73 грн |
| 2SA2126-TL-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 17079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 85.05 грн |
| 10+ | 51.52 грн |
| 100+ | 33.85 грн |
| 2SA2126-TL-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SA2126-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2126-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA2126-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




