Продукція > ONSEMI > 2SA2169-E

2SA2169-E onsemi

Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 50V

на замовлення 133 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2SA2169-E onsemi

Description: TRANS PNP 50V 10A TP, Power - Max: 950 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Supplier Device Package: TP, Frequency - Transition: 130MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 580mV @ 250mA, 5A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції 2SA2169-E

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	2SA2169-E	onsemi	Description: TRANS PNP 50V 10A TP Power - Max: 950 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TP Frequency - Transition: 130MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 580mV @ 250mA, 5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Bulk	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

2SA2169-E

Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 10A TP
Power - Max: 950 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 580mV @ 250mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.