Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2169-TL-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SA2169-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200, DC-Stromverstärkung hFE: 200, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 20, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 130, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції 2SA2169-TL-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA2169-TL-E | onsemi |
 Description: TRANS PNP 50V 10A TP-FAPower - Max: 950 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TP-FA Frequency - Transition: 130MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 580mV @ 250mA, 5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
2SA2169-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2169-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200 DC-Stromverstärkung hFE: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 130 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
2SA2169-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2169-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Verlustleistung: 20 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SA2169-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 10A 950mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1400 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SA2169-TL-E |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 10A TP-FA
Power - Max: 950 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 580mV @ 250mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PNP 50V 10A TP-FA
Power - Max: 950 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 580mV @ 250mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2SA2169-TL-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2169-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SA2169-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SA2169-TL-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2169-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 20
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SA2169-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 20
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SA2169-TL-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 10A 950mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 10A 950mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику
од. на суму грн.