2SA2169-TL-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 10A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 580mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 950 mW
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2169-TL-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SA2169-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200, DC-Stromverstärkung hFE: 200, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 20, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 130, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції 2SA2169-TL-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA2169-TL-E | onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 50V |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SA2169-TL-E | ONN |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SA2169-TL-E |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 50V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 50V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SA2169-TL-E |
Виробник: ONN
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)