Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції 2SA2210-1E за ціною від 122.31 грн до 176.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SA2210-1E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 20A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2SA2210-1E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2210-1E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 20 A, 30 W, SC-67, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-67 Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
2SA2210-1E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, -50V, -20A, Low VCE(sat), PNP TO-220F-3SG |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SA2210-1E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 20A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT PNP 50V 20A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 176.31 грн |
| 250+ | 135.54 грн |
| 500+ | 122.31 грн |
| 2SA2210-1E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2210-1E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 20 A, 30 W, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-67
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SA2210-1E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 20 A, 30 W, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-67
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SA2210-1E |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, -50V, -20A, Low VCE(sat), PNP TO-220F-3SG
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, -50V, -20A, Low VCE(sat), PNP TO-220F-3SG
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





