Технічний опис 2SAR293P5T100 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 1A MPT3, Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: MPT3, Frequency - Transition: 320MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ).
Інші пропозиції 2SAR293P5T100 за ціною від 10.92 грн до 28.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SAR293P5T100 | Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 1408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
2SAR293P5T100 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
2SAR293P5T100 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 1A MPT3 Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
2SAR293P5T100 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -1A Ic MPT3 |
на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SAR293P5T100 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1296+ | 10.92 грн |
| 2SAR293P5T100 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 494+ | 28.67 грн |
| 512+ | 27.64 грн |
| 1000+ | 26.73 грн |
| 2500+ | 25.02 грн |
| 2SAR293P5T100 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 1A MPT3
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Description: TRANS PNP 30V 1A MPT3
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SAR293P5T100 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -1A Ic MPT3
Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -1A Ic MPT3
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)