Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SAR372P5T100Q
2SAR372P5T100Q

2SAR372P5T100Q Rohm Semiconductor

2sar372p5t100q-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
563+25.30 грн
585+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 563 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SAR372P5T100Q Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2W, Verlustleistung: 2W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V, Dauerkollektorstrom: 700mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 700mA, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SAR372P5T100Q за ціною від 21.41 грн до 93.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SAR372P5T100Q 2SAR372P5T100Q Rohm Semiconductor 2sar372p5t100q-e.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2SAR372P5T100Q Rohm Semiconductor 2sar372p5t100q-e.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+57.23 грн
385+37.02 грн
504+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2SAR372P5T100Q Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR372P5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PNP 120V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.59 грн
10+45.31 грн
100+29.58 грн
500+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2SAR372P5T100Q Rohm Semiconductor 2sar372p5t100q-e.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+93.10 грн
14+57.23 грн
100+37.02 грн
500+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2SAR372P5T100Q ROHM datasheet?p=2SAR372P5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2SAR372P5T100Q ROHM datasheet?p=2SAR372P5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 700mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2SAR372P5T100Q Rohm Semiconductor 2sar372p5t100q-e.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2sar372p5t100q-e.pdf
2SAR372P5T100Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
332+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2sar372p5t100q-e.pdf
2SAR372P5T100Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
249+57.23 грн
385+37.02 грн
504+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q datasheet?p=2SAR372P5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SAR372P5T100Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 120V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.59 грн
10+45.31 грн
100+29.58 грн
500+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2sar372p5t100q-e.pdf
2SAR372P5T100Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+93.10 грн
14+57.23 грн
100+37.02 грн
500+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q datasheet?p=2SAR372P5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SAR372P5T100Q
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q datasheet?p=2SAR372P5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SAR372P5T100Q
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 700mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2sar372p5t100q-e.pdf
2SAR372P5T100Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.