Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SAR372P5T100Q
2SAR372P5T100Q

2SAR372P5T100Q Rohm Semiconductor

2sar372p5t100q-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
563+25.07 грн
585+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SAR372P5T100Q Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2W, Verlustleistung: 2W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V, Dauerkollektorstrom: 700mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 700mA, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SAR372P5T100Q за ціною від 27.03 грн до 92.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SAR372P5T100Q 2SAR372P5T100Q Rohm Semiconductor 2sar372p5t100q-e.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2SAR372P5T100Q Rohm Semiconductor 2sar372p5t100q-e.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+56.72 грн
385+36.69 грн
504+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2SAR372P5T100Q Rohm Semiconductor 2sar372p5t100q-e.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+92.27 грн
14+56.72 грн
100+36.69 грн
500+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2SAR372P5T100Q Rohm Semiconductor 2sar372p5t100q-e.pdf Description: TRANS PNP 120V 0.7A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2SAR372P5T100Q ROHM Semiconductor 2sar372p5t100q-e.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP -0.7A -120V Middle Power Transistor
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2SAR372P5T100Q ROHM 2sar372p5t100q-e.pdf Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2SAR372P5T100Q ROHM 2sar372p5t100q-e.pdf Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 700mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2SAR372P5T100Q Rohm Semiconductor 2sar372p5t100q-e.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2sar372p5t100q-e.pdf
2SAR372P5T100Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
332+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2sar372p5t100q-e.pdf
2SAR372P5T100Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
249+56.72 грн
385+36.69 грн
504+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2sar372p5t100q-e.pdf
2SAR372P5T100Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+92.27 грн
14+56.72 грн
100+36.69 грн
500+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2sar372p5t100q-e.pdf
2SAR372P5T100Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 120V 0.7A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2sar372p5t100q-e.pdf
2SAR372P5T100Q
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP -0.7A -120V Middle Power Transistor
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2sar372p5t100q-e.pdf
2SAR372P5T100Q
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2sar372p5t100q-e.pdf
2SAR372P5T100Q
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 700mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100Q 2sar372p5t100q-e.pdf
2SAR372P5T100Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.