2SAR372PHZGT100R Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 120V 0.7A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR372PHZGT100R Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR372PHZGT100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SAR372PHZGT100R за ціною від 14.94 грн до 53.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SAR372PHZGT100R | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 120V 0.7A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
2SAR372PHZGT100R | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -120V -0.7A, Middle Power Transistor for Automotive |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
2SAR372PHZGT100R | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR372PHZGT100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 700mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
2SAR372PHZGT100R | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR372PHZGT100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 700mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SAR372PHZGT100R |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 120V 0.7A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 120V 0.7A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.47 грн |
| 10+ | 32.24 грн |
| 100+ | 20.83 грн |
| 500+ | 14.94 грн |
| 2SAR372PHZGT100R |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -120V -0.7A, Middle Power Transistor for Automotive
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -120V -0.7A, Middle Power Transistor for Automotive
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SAR372PHZGT100R |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR372PHZGT100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - 2SAR372PHZGT100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SAR372PHZGT100R |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR372PHZGT100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SAR372PHZGT100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)