2SAR375P5T100R

2SAR375P5T100R Rohm Semiconductor


2sar375p5t100q-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 120V 1.5A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 80mA, 800mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+22.43 грн
2000+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SAR375P5T100R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR375P5T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції 2SAR375P5T100R за ціною від 13.98 грн до 79.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SAR375P5T100R 2SAR375P5T100R Виробник : ROHM 2sar375p5t100q-e.pdf Description: ROHM - 2SAR375P5T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.56 грн
500+18.38 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR375P5T100R 2SAR375P5T100R Виробник : ROHM 2sar375p5t100q-e.pdf Description: ROHM - 2SAR375P5T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+62.71 грн
21+39.02 грн
100+25.56 грн
500+18.38 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR375P5T100R 2SAR375P5T100R Виробник : ROHM Semiconductor 2sar375p5t100q-e.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP -1.5A-120V L. Freq Amplifier
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.26 грн
10+44.94 грн
100+25.59 грн
500+19.75 грн
1000+15.23 грн
2000+14.33 грн
5000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR375P5T100R 2SAR375P5T100R Виробник : Rohm Semiconductor 2sar375p5t100q-e.pdf Description: TRANS PNP 120V 1.5A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 80mA, 800mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.02 грн
10+47.24 грн
100+30.90 грн
500+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.