Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SAR502E3HZGTL

2SAR502E3HZGTL Rohm Semiconductor

Name: 2SAR502E3HZGTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 35932622-3
Price: 332.42 UAH
Availability: InStock

datasheet?p=2SAR502E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
11+	30.22 грн
17+	17.83 грн
100+	11.31 грн
500+	7.94 грн
1000+	7.08 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2SAR502E3HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 520MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SAR502E3HZGTL

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
2SAR502E3HZGTL	ROHM Semiconductor	Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -30V -500mA, General Purpose Amplification Transistor	на замовлення 5935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
2SAR502E3HZGTL	ROHM	Description: ROHM - 2SAR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 520MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн.
2SAR502E3HZGTL	ROHM	Description: ROHM - 2SAR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 520MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

2SAR502E3HZGTL

Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -30V -500mA, General Purpose Amplification Transistor

на замовлення 5935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR502E3HZGTL

Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR502E3HZGTL

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.