Продукція > ROHM > 2SAR502U3HZGT106
2SAR502U3HZGT106

2SAR502U3HZGT106 ROHM


2sar502u3hzgt106-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.80 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SAR502U3HZGT106 ROHM

Description: ROHM - 2SAR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 520MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2SAR502U3HZGT106 за ціною від 3.64 грн до 21.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SAR502U3HZGT106 2SAR502U3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 30V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.07 грн
24+12.41 грн
100+8.34 грн
500+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502U3HZGT106 2SAR502U3HZGT106 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-323, -30V -0.5A, General Purpose Transistor
на замовлення 3343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.37 грн
24+13.33 грн
100+7.75 грн
500+5.76 грн
1000+5.01 грн
6000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502U3HZGT106 2SAR502U3HZGT106 Виробник : ROHM 2sar502u3hzgt106-e.pdf Description: ROHM - 2SAR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+21.45 грн
59+13.69 грн
100+9.04 грн
500+5.80 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502U3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1450+8.86 грн
1784+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 1450
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502U3HZGT106 2SAR502U3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 30V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.