Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SAR502U3HZGT106
2SAR502U3HZGT106

2SAR502U3HZGT106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SAR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.80 грн
20+14.92 грн
100+9.35 грн
500+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SAR502U3HZGT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 200mW, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 520MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SAR502U3HZGT106 за ціною від 7.93 грн до 9.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SAR502U3HZGT106 2SAR502U3HZGT106 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-323, -30V -0.5A, General Purpose Transistor
на замовлення 3343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502U3HZGT106 2SAR502U3HZGT106 ROHM datasheet?p=2SAR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SAR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502U3HZGT106 2SAR502U3HZGT106 ROHM datasheet?p=2SAR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SAR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502U3HZGT106 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1450+9.76 грн
1784+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502U3HZGT106 datasheet?p=2SAR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SAR502U3HZGT106
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-323, -30V -0.5A, General Purpose Transistor
на замовлення 3343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502U3HZGT106 datasheet?p=2SAR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SAR502U3HZGT106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502U3HZGT106 datasheet?p=2SAR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SAR502U3HZGT106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502U3HZGT106 datasheet?p=2SAR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1450+9.76 грн
1784+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.