Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SAR512P5T100
2SAR512P5T100

2SAR512P5T100 Rohm Semiconductor

2sar512p5t100-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 430MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+12.24 грн
2000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SAR512P5T100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 2W, Verlustleistung: 2W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 2A, Übergangsfrequenz: 430MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SAR512P5T100 за ціною від 14.32 грн до 31.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SAR512P5T100 2SAR512P5T100 Rohm Semiconductor 2sar512p5t100-e.pdf Description: TRANS PNP 30V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 430MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.77 грн
12+25.97 грн
100+19.42 грн
500+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR512P5T100 2SAR512P5T100 ROHM Semiconductor 2sar512p5t100-e.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR512P5T100 2SAR512P5T100 ROHM 2sar512p5t100-e.pdf Description: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR512P5T100 2SAR512P5T100 ROHM 2sar512p5t100-e.pdf Description: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR512P5T100 2sar512p5t100-e.pdf
2SAR512P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 430MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.77 грн
12+25.97 грн
100+19.42 грн
500+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR512P5T100 2sar512p5t100-e.pdf
2SAR512P5T100
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR512P5T100 2sar512p5t100-e.pdf
2SAR512P5T100
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR512P5T100 2sar512p5t100-e.pdf
2SAR512P5T100
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.