2SAR512RHZGTL Rohm Semiconductor


2sar512rhzgtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 2A TSMT3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SAR512RHZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR512RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-346T, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 430MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції 2SAR512RHZGTL за ціною від 15.19 грн до 77.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SAR512RHZGTL 2SAR512RHZGTL ROHM 2sar512rhzgtl-e.pdf Description: ROHM - 2SAR512RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.77 грн
500+18.47 грн
1000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR512RHZGTL 2SAR512RHZGTL ROHM 2sar512rhzgtl-e.pdf Description: ROHM - 2SAR512RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.82 грн
21+39.30 грн
100+25.77 грн
500+18.47 грн
1000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR512RHZGTL 2SAR512RHZGTL Rohm Semiconductor 2sar512rhzgtl-e.pdf Description: TRANS PNP 30V 2A TSMT3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+55.04 грн
100+42.16 грн
500+31.29 грн
1000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR512RHZGTL 2SAR512RHZGTL ROHM Semiconductor 2sar512rhzgtl-e.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT346T 30V 2A MID-PWR TRANS
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.56 грн
10+47.95 грн
100+27.34 грн
500+21.06 грн
1000+19.12 грн
3000+15.46 грн
9000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR512RHZGTL 2sar512rhzgtl-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR512RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+25.77 грн
500+18.47 грн
1000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR512RHZGTL 2sar512rhzgtl-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR512RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+62.82 грн
21+39.30 грн
100+25.77 грн
500+18.47 грн
1000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR512RHZGTL 2sar512rhzgtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 2A TSMT3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.24 грн
10+55.04 грн
100+42.16 грн
500+31.29 грн
1000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR512RHZGTL 2sar512rhzgtl-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT SOT346T 30V 2A MID-PWR TRANS
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+77.56 грн
10+47.95 грн
100+27.34 грн
500+21.06 грн
1000+19.12 грн
3000+15.46 грн
9000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.