2SAR512RTL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 921+ | 15.37 грн |
| 955+ | 14.81 грн |
| 1000+ | 14.33 грн |
| 2500+ | 13.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR512RTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR512RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Übergangsfrequenz: 430MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SAR512RTL за ціною від 11.33 грн до 45.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SAR512RTL | Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PNP 30V 2A TSMT3 |
на замовлення 1736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SAR512RTL | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 49545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SAR512RTL | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 49545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SAR512RTL | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR512RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 430MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
2SAR512RTL | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP -30V -2A Driver Transistor |
на замовлення 3735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
2SAR512RTL | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR512RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 430MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SAR512RTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 2A TSMT3
Description: TRANS PNP 30V 2A TSMT3
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.65 грн |
| 11+ | 29.33 грн |
| 100+ | 21.89 грн |
| 500+ | 16.14 грн |
| 1000+ | 12.47 грн |
| 2SAR512RTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 49545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 45.22 грн |
| 100+ | 28.99 грн |
| 500+ | 21.13 грн |
| 1000+ | 17.20 грн |
| 3000+ | 12.47 грн |
| 6000+ | 11.48 грн |
| 9000+ | 11.33 грн |
| 2SAR512RTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 49545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 313+ | 45.22 грн |
| 488+ | 28.99 грн |
| 646+ | 21.91 грн |
| 1000+ | 18.58 грн |
| 3000+ | 12.99 грн |
| 6000+ | 11.48 грн |
| 9000+ | 11.33 грн |
| 2SAR512RTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR512RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - 2SAR512RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SAR512RTL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP -30V -2A Driver Transistor
Bipolar Transistors - BJT PNP -30V -2A Driver Transistor
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SAR512RTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR512RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - 2SAR512RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)