Продукція > ROHM > 2SAR513RHZGTL
2SAR513RHZGTL

2SAR513RHZGTL ROHM


2sar513rhzgtl-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.11 грн
500+18.12 грн
1000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SAR513RHZGTL ROHM

Description: ROHM - 2SAR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SAR513RHZGTL за ціною від 13.55 грн до 61.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SAR513RHZGTL 2SAR513RHZGTL Виробник : ROHM Semiconductor 2sar513rhzgtl_e-2948676.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT346T 50V 1A MID-PWR TRANS
на замовлення 5020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.51 грн
10+48.87 грн
100+28.99 грн
500+25.10 грн
3000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR513RHZGTL 2SAR513RHZGTL Виробник : ROHM 2sar513rhzgtl-e.pdf Description: ROHM - 2SAR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.09 грн
22+37.95 грн
100+25.11 грн
500+18.12 грн
1000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR513RHZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR513RHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP, SOT-346T, -50V -1A, MIDDLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.60 грн
10+43.19 грн
100+29.89 грн
500+23.44 грн
1000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR513RHZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR513RHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP, SOT-346T, -50V -1A, MIDDLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.