2SAR514PHZGT100 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 581+ | 24.38 грн |
| 602+ | 23.51 грн |
| 1000+ | 22.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR514PHZGT100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 700mA, Übergangsfrequenz: 380MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SAR514PHZGT100 за ціною від 63.54 грн до 63.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SAR514PHZGT100 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 0.7A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 380MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
2SAR514PHZGT100 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -80V -0.7A, Medium Power Transistor for Automotive |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
2SAR514PHZGT100 | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
2SAR514PHZGT100 | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 700mA Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
2SAR514PHZGT100 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 239 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SAR514PHZGT100 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 0.7A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 80V 0.7A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.54 грн |
| 2SAR514PHZGT100 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -80V -0.7A, Medium Power Transistor for Automotive
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -80V -0.7A, Medium Power Transistor for Automotive
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SAR514PHZGT100 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - 2SAR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SAR514PHZGT100 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 700mA
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - 2SAR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 700mA
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SAR514PHZGT100 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)