Технічний опис 2SAR514PT100 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3, Power - Max: 2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: MPT3, Frequency - Transition: 380MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SAR514PT100
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
2SAR514PT100 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 407 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SAR514PT100 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



