Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SAR523EBTL
2SAR523EBTL

2SAR523EBTL Rohm Semiconductor

2sar523ebtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3948+3.58 грн
4066+3.48 грн
5000+3.39 грн
10000+3.18 грн
25000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3948 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SAR523EBTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 120, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 150, Verlustleistung: 150, Bauform - Transistor: SOT-416, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 100, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції 2SAR523EBTL за ціною від 2.54 грн до 11.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SAR523EBTL 2SAR523EBTL Rohm Semiconductor 2sar523ebtl-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2651+5.34 грн
3808+3.72 грн
3847+3.68 грн
4238+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 2651 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR523EBTL 2SAR523EBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.62 грн
44+6.94 грн
100+4.26 грн
500+2.90 грн
1000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR523EBTL 2SAR523EBTL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 179-188 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR523EBTL 2SAR523EBTL ROHM 2706660.pdf Description: ROHM - 2SAR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR523EBTL 2SAR523EBTL ROHM 2706660.pdf Description: ROHM - 2SAR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR523EBTL 2SAR523EBTL Rohm Semiconductor 2sar523ebtl-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1924 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR523EBTL 2sar523ebtl-e.pdf
2SAR523EBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2651+5.34 грн
3808+3.72 грн
3847+3.68 грн
4238+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 2651 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR523EBTL datasheet?p=2SAR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SAR523EBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.62 грн
44+6.94 грн
100+4.26 грн
500+2.90 грн
1000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR523EBTL datasheet?p=2SAR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SAR523EBTL
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 179-188 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR523EBTL 2706660.pdf
2SAR523EBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR523EBTL 2706660.pdf
2SAR523EBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR523EBTL 2sar523ebtl-e.pdf
2SAR523EBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1924 шт
В кошику  од. на суму  грн.