2SAR523UBTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 0.1A UMT3F
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: UMT3F
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 13.17 грн |
| 41+ | 7.39 грн |
| 100+ | 4.60 грн |
| 500+ | 3.14 грн |
| 1000+ | 2.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR523UBTL Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 0.1A UMT3F, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: UMT3F, Frequency - Transition: 300MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-85, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SAR523UBTL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SAR523UBTL | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT GP Amplification Trans |
на замовлення 1667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SAR523UBTL |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT GP Amplification Trans
Bipolar Transistors - BJT GP Amplification Trans
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


