Технічний опис 2SAR533P5T100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 500mW, Verlustleistung: 500mW, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SAR533P5T100 за ціною від 16.73 грн до 37.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SAR533P5T100 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 1766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2SAR533P5T100 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2SAR533P5T100 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 50V 3A MPT3 |
на замовлення 2555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
2SAR533P5T100 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP -50V Vceo -3A Ic MPT3 |
на замовлення 2108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
2SAR533P5T100 | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
2SAR533P5T100 | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500mW Verlustleistung: 500mW SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 3A Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
2SAR533P5T100 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 183 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SAR533P5T100 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 521+ | 27.19 грн |
| 540+ | 26.21 грн |
| 1000+ | 25.35 грн |
| 2SAR533P5T100 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 521+ | 27.19 грн |
| 540+ | 26.21 грн |
| 1000+ | 25.35 грн |
| 2SAR533P5T100 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 3A MPT3
Description: TRANS PNP 50V 3A MPT3
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.20 грн |
| 10+ | 30.37 грн |
| 100+ | 22.69 грн |
| 500+ | 16.73 грн |
| 2SAR533P5T100 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP -50V Vceo -3A Ic MPT3
Bipolar Transistors - BJT PNP -50V Vceo -3A Ic MPT3
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SAR533P5T100 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SAR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SAR533P5T100 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500mW
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SAR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500mW
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SAR533P5T100 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





