на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 15.07 грн |
| 2000+ | 13.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR533P5T100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SAR533P5T100 за ціною від 9.74 грн до 53.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SAR533P5T100 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - 2SAR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 3A Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR533P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 50V 3A MPT3 |
на замовлення 2555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR533P5T100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SAR533P5T100 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP -50V Vceo -3A Ic MPT3 |
на замовлення 1963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|